標題: AgInSbTe薄膜與AgInSbTe-SiO2奈米複合薄膜之相變化動力學研究
A Study of Phase-change Kinetics of AgInSbTe and AgInSbTe-SiO2 Nanocomposite Thin Films
作者: 張鴻鐘
謝宗雍
關鍵字: 奈米複合薄膜;相變化;Nanocomposite;Phase-change
公開日期: 2007
摘要: 本研究利用自組的即時光反射率量測系統探討AgInSbTe(AIST)與90 wt.% AIST-10 wt.% SiO2(90A10S)奈米複合薄膜(Nanocomposite Thin Film)之相變化動力學。在升溫實驗中,量測數據經Kissinger理論之分析顯示非晶態-結晶態相變化(Amorphous-Crystalline Phase Transition)之活化能(Activation Energy,Ea)隨著膜厚的減少而遞增,顯示試片維度會抑制晶粒成長;對膜厚同為30 nm之AIST與90A10S薄膜,Ea值分別為3.82及4.17 eV,顯示90A10S受SiO2的添加影響,抑制了AIST再結晶時晶粒的成長,而使Ea升高。另,示差熱掃瞄熱量計(Differential Scanning Calorimetry,DSC)之量測AIST之Ea為2.91 eV,顯示自組的即時光反射率量測系統數據之可靠性。在恆溫實驗中,藉由Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov(JMAK)方程式探討薄膜之成長模式,其發現AIST之晶粒成長屬於二維成長,而90A10S之晶粒成長屬於二維與三維成長,其顯示90A10S中之SiO2顆粒能提供異質成核(Heterogeneous Nucleation)之位置,而使再結晶之過程趨近三維模式,在適當活化能(Appropriate Activation Energy,□H)方面,異質成核效應與SiO2縮短了結晶相成長距離,而使90A10S之□H值低於AIST。穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)顯示AIST與90A10S之結晶顆粒尺寸分別約為49與11 nm,證實SiO2能提供更多的成核位置且抑制了晶粒成長而90A10S之結晶相晶粒之細化。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009497505
http://hdl.handle.net/11536/38029
顯示於類別:畢業論文


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