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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳鼎凱 | en_US |
dc.contributor.author | 李安謙 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T01:15:44Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T01:15:44Z | - |
dc.date.issued | 2007 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009514610 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/38604 | - |
dc.description.abstract | 近年來,批次控制技術已被充分地發展並且應用於半導體製造過程中,以維持製程水準並改善產品的良率。在這些批次控制之中,EWMA控制器、double EWMA控制器和PCC控制器在線上批次估測中已是被常使用的方法。但是,製程輸出在選擇不適當的批次控制器參數下,反而會有負面的效果。特別是當系統存在模型誤差和環境上有擾動時,一般批次控制器可能無法有令人滿意的性能效果。 本論文的主要目的是提出動態調變的控制結構,具有動態調整系統參數的能力。在此控制結構裡主要有二種控制機制: 干擾觀察器(DOB) 和參數調整律。本文將此控制架構命名為適應性干擾觀察器,該控制架構具有排除製程干擾與減少系統模型誤差之能力,並使系統輸出達到所期望之效能。適應性干擾觀察器不僅能補償製程上常見的位移和漂移干擾, 而且能處理隨機和自相關的干擾模型。藉由確定性及隨機性之Lyapunov定理證明估計參數的收斂特性。並且探討所提出的適應性方法在不同干擾模型之下,系統參數之收斂性-收斂或是接近至最佳值。模擬結果顯示所提出的控制方法,相較於固定參數的批次控制,對不同干擾模型系統效能改善12%~23%。最後,利用黃光製程用以驗證本論文所提出的控制架構。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 批次控制 | zh_TW |
dc.subject | 干擾觀測器 | zh_TW |
dc.subject | 適應性控制 | zh_TW |
dc.subject | 黃光製程 | zh_TW |
dc.subject | 覆蓋誤差 | zh_TW |
dc.subject | Run-to-Run Control | en_US |
dc.subject | EWMA | en_US |
dc.subject | Double EWMA | en_US |
dc.subject | PCC | en_US |
dc.subject | Disturbance Observer | en_US |
dc.subject | Adaptive Control | en_US |
dc.subject | photolithography | en_US |
dc.subject | Overlay Error | en_US |
dc.title | 適應性干擾觀測器於半導體製造之批次控制 | zh_TW |
dc.title | An Adaptive Disturbance Observer in Run-to-Run Control for Semiconductor Manufacturing Processes | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |