標題: 調變五三比對成長氮化銦奈米點之研究
Anomalous behaviors of InN nano-dots growth against V/III ratio prepared by MOCVD
作者: 王仕銘
Shih-Ming Wang
陳衛國
Wei-Kuo Chen
電子物理系所
關鍵字: 氮化銦;五三比;MOCVD;InN;V/III ratio
公開日期: 2007
摘要: 以有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)方式成長低五三比500到30000的氮化銦奈米點結構,藉由原子力顯微鏡(AFM)、光激螢光光譜(PL)的量測,分析奈米點表面形貌與光性。在AFM形貌圖下,觀察到五三比10000前後形貌與體積有急遽且不尋常的變化,這個結果與光激螢光光譜的峰值能量與半高寬的分界是相同的。我們推測在10000前後因為表面是否形成銦的雙原子層(In-bilayer),使得表面能改變而導致如此戲劇性地變化。成長速率部份,使用熱力學平衡模型模擬成長時的情況,在650°C下氨氣分解率不是定值。在我們的研究中,氫氣對氮化銦的侵蝕(etching)扮演影響成長速率中相當重要的角色。在光性的部份,五三比6000擁有最佳的光性品質(FWHM~48meV),因此,我們認為在650°C的成長溫度使用較低的五三比會有較良好的結構與光性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009521559
http://hdl.handle.net/11536/38859
顯示於類別:畢業論文


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