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dc.contributor.author鍾文駿en_US
dc.contributor.author曾俊元en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T01:34:05Z-
dc.date.available2014-12-12T01:34:05Z-
dc.date.issued2003en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009111573en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/43379-
dc.description.abstract隨著光電產業的蓬勃發展，氧化鋅也廣泛地應用在光電材料方面。氧化鋅具有獨特的性質，例如：具有寬及直接能隙的半導體、激發光的波長為短波長(藍光)。本實驗專注於成長P型氧化鋅薄膜之製備及氧化鋅薄膜之電學性質討論，在簡介中，可以了解一般氧化鋅薄膜之應用及目前用來參雜P型氧化新的參雜元素還有成長P型氧化鋅困難的原因。在結果與討論中,由氧化鋅薄膜的電學性質分析，吾人發現用純的氮氣成長的氧化鋅薄膜特性並不好，雖有P型氧化鋅薄膜的產生，但只有在特定條件下才會發生；而用純的笑氣成長的氧化鋅薄膜則呈現出P型，且參雜濃度相當高，而在如此高的參雜濃度之下，飄移率則會下降。在氧化鋅薄膜的物理性質中，吾人發現當溫度越來越高，氧化鋅的晶粒大小會越來越小，且表面平整度會越來越差zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氧化鋅zh_TW
dc.subjectZnOen_US
dc.title正型氧化鋅薄膜之製備及電學性質之研究zh_TW
dc.titleThe preparation of P-type ZnO thin films and the research for the electrical characteristicsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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