數值模擬晶棒成長之熱流分析

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳柏瑋	en_US
dc.contributor.author	Chen, Po-Wei	en_US
dc.contributor.author	陳慶耀	en_US
dc.contributor.author	Chen, Ching-Yao	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T01:38:50Z	-
dc.date.available	2014-12-12T01:38:50Z	-
dc.date.issued	2009	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079714548	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/44708	-
dc.description.abstract	本研究模擬在cusp磁場下，變化磁場強度及變化電磁線圈的高度位置對Cz長晶法之矽熔湯流場和溫度場的影響，同時也探討固液界面形狀和矽晶棒拉速及其溫度梯度的比值(V/G值) 變化。統御方程式包含動量方程式、熱傳方程式以及電流流動方程式。紊流效應和因氣體流動而在氣液界面上所產生的剪切應力效應均考慮於本研究中。本文採用商用軟體CGsim (版本9.02) 進行計算。從模擬的結果可以推測出磁線圈往上移動較多時會導致矽熔湯流速減慢、坩堝中心處的溫度梯度上升、坩堝底部的溫度升高以及矽熔湯流場的不穩定。坩鍋內低溫區的範圍會朝向固液界面的方向縮小。此外，界面的變化差異和V/G值均會隨調整磁線圈的高度而降低。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	電腦模擬	zh_TW
dc.subject	熱傳	zh_TW
dc.subject	紊流對流	zh_TW
dc.subject	Cz長晶法	zh_TW
dc.subject	矽晶棒	zh_TW
dc.subject	Computer simulation	en_US
dc.subject	Heat transport	en_US
dc.subject	Turbulent convection	en_US
dc.subject	Czochralski method	en_US
dc.subject	Silicon crystal	en_US
dc.title	數值模擬晶棒成長之熱流分析	zh_TW
dc.title	Numerical Simulations of Crystal Growth	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	機械工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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