統計資料

總造訪次數

檢視
研究藉由氧化鋁為閘極絕緣層來改善成長於矽基板上之氧化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之線性度 130

本月總瀏覽

九月 2025 十月 2025 十一月 2025 十二月 2025 一月 2026 二月 2026 三月 2026
研究藉由氧化鋁為閘極絕緣層來改善成長於矽基板上之氧化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之線性度 0 0 0 0 0 1 2

檔案下載

檢視
850801.pdf 42

國家瀏覽排行

檢視
中國 103
美國 18
台灣 4
日本 2

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 95
Beijing 7
Kensington 7
Menlo Park 6
Edmond 2
Kirksville 2
Taipei 2
Falls Church 1
Shanghai 1