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| 研究藉由多閘極製程改善成長於矽基板上之氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度 | 130 |
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| 研究藉由多閘極製程改善成長於矽基板上之氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體元件之線性度 | 0 | 0 | 0 | 8 | 0 | 1 | 0 |
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