統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 平面式獨立雙閘極多晶矽SONOS記憶體元件以及非對稱式蕭特基能障薄膜電晶體之製作與特性分析 | 129 |
本月總瀏覽
| 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | 一月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 平面式獨立雙閘極多晶矽SONOS記憶體元件以及非對稱式蕭特基能障薄膜電晶體之製作與特性分析 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 106 |
| 美國 | 13 |
| 台灣 | 6 |
| 印度 | 3 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Beijing | 11 |
| Menlo Park | 6 |
| Taipei | 6 |
| Kensington | 5 |
| Edmond | 2 |
| Mumbai | 1 |