Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author張明鑒en_US
dc.contributor.authorZhang, Ming-Jianen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430022en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51388-
dc.description.abstract本文利用高斯分布模擬表面離子布植的雜質和考慮金屬一半尊體之間的表面性質, 發 展完成能障提高的解析模型。考慮影像力的效應, 本文可將最大能障及其精確位置的 公式導出。同時, 本文亦發展完成一套貝有表面離子布植蕭基二極體之電流及電壓的 傳輸理論, 其中包含多數載體電流, 少數載體電流, 空間電荷區間復合電流。利用此 套理論, 貝有表面離子布植之蕭基二極體的能障, 理想因素, 及逆向電流等重要特性 亦用理論導出, 經實驗結果和理論比較, 發現兩者極為吻合。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低能量離子zh_TW
dc.subject佈植zh_TW
dc.subject蕭基二極体zh_TW
dc.subject傳輸理論zh_TW
dc.subject實驗zh_TW
dc.subject影像力zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title具有低能量離子佈植之蕭基二極體的傳輸理論及實驗zh_TW
dc.titleTheory and experiments of the M-N P schottky barrier diode using low energy ion-implantationen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
Appears in Collections:Thesis