具有低能量離子佈植之蕭基二極體的傳輸理論及實驗

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張明鑒	en_US
dc.contributor.author	Zhang, Ming-Jian	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:05Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:05Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430022	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51388	-
dc.description.abstract	本文利用高斯分布模擬表面離子布植的雜質和考慮金屬一半尊體之間的表面性質, 發展完成能障提高的解析模型。考慮影像力的效應, 本文可將最大能障及其精確位置的公式導出。同時, 本文亦發展完成一套貝有表面離子布植蕭基二極體之電流及電壓的傳輸理論, 其中包含多數載體電流, 少數載體電流, 空間電荷區間復合電流。利用此套理論, 貝有表面離子布植之蕭基二極體的能障, 理想因素, 及逆向電流等重要特性亦用理論導出, 經實驗結果和理論比較, 發現兩者極為吻合。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	低能量離子	zh_TW
dc.subject	佈植	zh_TW
dc.subject	蕭基二極体	zh_TW
dc.subject	傳輸理論	zh_TW
dc.subject	實驗	zh_TW
dc.subject	影像力	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	具有低能量離子佈植之蕭基二極體的傳輸理論及實驗	zh_TW
dc.title	Theory and experiments of the M-N P schottky barrier diode using low energy ion-implantation	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文