丙酮稀釋的水溶液腐刻硫酸三甘氨酸技術的探討

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳世賢	en_US
dc.contributor.author	Chen, Shi-Xian	en_US
dc.contributor.author	謝正雄	en_US
dc.contributor.author	Xie, Zheng-Xiong	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:06Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:06Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430033	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51400	-
dc.description.abstract	本文探討硫酸三甘氨酸在丙酮稀釋水溶液中的選擇性腐蝕，硫酸三甘氨酸在不同丙酮濃度的溶液和不同溫度下的溶解度和腐蝕速率亦被測量。應用傳統的半導體元件製造技術的照相術，然後用腐蝕速率數據來控制硫酸三甘氨酸單晶b 面的腐蝕深度，得到令人滿意的結果。腐蝕深度和橫向腐蝕可以由橫載面的相片上直接測量出來，其比值約為1.85, 研究結果顯示, 利用選擇性腐蝕技術來製造數種硫酸三甘氮酸焦電元件的可行性甚高。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	丙酮	zh_TW
dc.subject	稀釋水溶液	zh_TW
dc.subject	腐蝕	zh_TW
dc.subject	硫酸三甘氨酸	zh_TW
dc.subject	溶解度	zh_TW
dc.subject	腐蝕速率	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	丙酮稀釋的水溶液腐刻硫酸三甘氨酸技術的探討	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文