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dc.contributor.author黃榮庭en_US
dc.contributor.authorHuang, Rong-Tingen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.contributor.authorWu, Zhong-Yuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:07Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:07Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430047en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51416-
dc.description.abstract本文以理論與實驗方法,探討一種利用n通道加強模式金氧半場效電晶體作為n-p-n雙 極性功率電晶體過荷電壓的保護元件,此種組合裝置會被稱為藍達雙極性功率。本文 針對該元件的重要設計參數,諸如平一帶電壓、保護( 臨界) 電壓、過渡電壓、谷點 電壓、崩潰電壓及微分負電阻等,均詳加模擬,并建立完整的直流模式。基於發展的 直流模式,此種元件的最佳設計考慮及溫度穩定度亦加以研究。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject保護裝置zh_TW
dc.subject雙極性功率zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject籃達雙極性功率電zh_TW
dc.subject直流模式zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectN-P-Nen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title一種具有保護裝置之雙極性功率電晶體的設計及製造zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文