複晶矽氧化層電氣特性的模擬模型及可電規劃僅讀記憶元件之分析

Abstract

本文以電流一電場特性為基礎，發展出一複晶矽氧化層電氣特性的模擬模型，其中複 晶矽氧化之突出增強及陷井機構均考慮在內。根據此型，複晶矽氧層之電流一時間特 性亦合理地模擬。 根據實際跡象顯示，此簡單模型除能強化陷阱機構，並能判別可作為電視劃記憶元件 及線路計時預估之設計工具。 另外，對於不同幾何大小造完成的可電規劃記憶元件，亦加予計測及探討，其中包括 寫入脈波寬度對元件臨界電壓改變量及記憶時間特性之影響。由顯示，複晶矽氧化層 內之捕捉機構對於記憶元件是扮演很重要的角色。並且，記憶元件性能與複晶矽氧化 層品質之關係亦加以探討。