完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 蔡添壽 | en_US |
dc.contributor.author | Cai, Tian-Shou | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:38Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:38Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428010 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51730 | - |
dc.description.abstract | 本文主旨在於,發展一小埋層通道金氧半場效應電晶體的確模式,以供實用。本文分 為兩大部份,一為臨界電壓模式;一為電流電壓輸出特性模式。 一些新的觀念被用在模式裡面。如臨界電壓模式的推導裹面,我們用了新的元件構造 觀念。另外在電流電壓輸出的特性模擬裹,用了新的移動率公式。由實驗禾模擬的結 果顯示,這些觀念被證實具有創意,而且使模式簡單容易了解。實驗和模擬的符合, 今人滿意。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 超大型積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 電路 | zh_TW |
dc.subject | 金氧半場效應 | zh_TW |
dc.subject | 電經體 | zh_TW |
dc.subject | 臨界電壓模式 | zh_TW |
dc.subject | 元件 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 超大型積體電路中小埋層通道金氧半場效應電晶體的模式 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |