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dc.contributor.author蔡添壽en_US
dc.contributor.authorCai, Tian-Shouen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428010en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51730-
dc.description.abstract本文主旨在於,發展一小埋層通道金氧半場效應電晶體的確模式,以供實用。本文分
為兩大部份,一為臨界電壓模式;一為電流電壓輸出特性模式。
一些新的觀念被用在模式裡面。如臨界電壓模式的推導裹面,我們用了新的元件構造
觀念。另外在電流電壓輸出的特性模擬裹,用了新的移動率公式。由實驗禾模擬的結
果顯示,這些觀念被證實具有創意,而且使模式簡單容易了解。實驗和模擬的符合,
今人滿意。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject超大型積體電路zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject電路zh_TW
dc.subject金氧半場效應zh_TW
dc.subject電經體zh_TW
dc.subject臨界電壓模式zh_TW
dc.subject元件zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title超大型積體電路中小埋層通道金氧半場效應電晶體的模式zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文