完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 鐘德裕 | en_US |
dc.contributor.author | Zhong, De-Yu | en_US |
dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Mao-Jie | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:39Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:39Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428013 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51733 | - |
dc.description.abstract | 本論文之研究係用雙電子束蒸鍍系統,將鎢和矽元素同時蒸發鍍於矽晶片以及矽晶片 之氧化膜上,再加氮氣熱處理,以形成結晶態之二矽鎢(wsi2)薄膜。蒸鍍時之元素含 量比例,以矽元素之含量稍大於應比例為宜。如此可較佳品質之wsi2薄膜。且經適當 熱處理後之電阻係數可降至32μΩ-cm 。在氧化特性方面,wsi2╱si結構於800至110 0℃ ,不論乾氧或濕氧均可得良好品質之二氧化矽膜。氧化過程中,矽晶片之矽原子 能夠經由快速的擴散作用穿出矽化鎢膜,而在氧化矽膜和矽化鎢膜的界面狀況與氧化 反應。因而,從背面散射(RBS) 光譜及展阻分佈測量都可證明wsi2膜的厚度及界面狀 況均未變化。wsi2的氧化速率比單晶矽和複晶矽都要快些。wsi2╱sio2╱si結構的氧 化機構較為複雜,而且由於欠缺矽原子的供應,有可能牽涉到部分的wsi2變相為w5si 3。 在高溫氧化時,表面破壞現容易發生,尤以較薄之矽化鎢膜為然,( 例如高於85 0℃)。wsi2可用電漿蝕刻法在CF4 及O2氣中加以蝕刻,也可以在含少量氟酸的HF╱HN O3酸液中進行。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽化鎢 | zh_TW |
dc.subject | 薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 氧化膜 | zh_TW |
dc.subject | 雙電子束蒸鍍系統 | zh_TW |
dc.subject | 矽晶片 | zh_TW |
dc.subject | 電阻係數 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | Wsi□ | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 矽化鎢(Wsi□ )薄膜之製備及其氧化特性 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |