利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	吳添祥	en_US
dc.contributor.author	Wu, Tian-Xiang	en_US
dc.contributor.author	吳重雨	en_US
dc.contributor.author	Wu, Zhong-Yu	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:39Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:39Z	-
dc.date.issued	1982	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428014	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51734	-
dc.description.abstract	本文利用雙基極電晶體，設計一種新型的靜態隨意出入記憶細胞，並對該細胞作進一步的分析與探討。該細胞是由雙基極電晶體及兩個各別並聯於射一基接面的複晶矽電阻組成記憶單元，並利用複射極及二極體耦合組成其讀寫電路。為避免兩個電晶體工作於深飽和狀態，可加一蕭特基二極體於集基接面上。本文以簡單公式作直流特性分析，由分析的結果可知，該細胞具有高速率、高密度及低功率的優點，值得進一步研究。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	雙基極電晶體	zh_TW
dc.subject	電晶體	zh_TW
dc.subject	隨意出入記憶細胞	zh_TW
dc.subject	細胞	zh_TW
dc.subject	複射極	zh_TW
dc.subject	二極體耦合	zh_TW
dc.subject	電路	zh_TW
dc.subject	一蕭特基二極體	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文