雷射處理與熱處理對複晶矽及其氧化層電特性的影響

Abstract

本文主要探討雷射處理對於複晶矽膜的片電阻以及複晶矽氧化層的漏電電流之效應， 並與傳統熱處理之效應作各種方式的比較。經過Nd：YAG 脈波式雷射光束照射後，複 晶矽矽膜的片電阻顯著降低；由此氧化所得晶矽氧化層的漏電流亦大為降低。一般而 言，雷射處理的效果比熱處理者為佳。 片電阻的降低，主要是因為被處理後的複晶矽顆粒之增長。較大複晶矽顆粒氧化時， 可減少複晶矽和氧化層界面上凹凸不平的現象，因而達到降低漏電流的目的。再者， 本文尚探討稀釋氧化法所得氧化層之漏電流減少效應 ，以及雷射處理對於氧化層在 固定電場下之電流衰減現象的影響。