完整后设资料纪录
DC 栏位 | 值 | 语言 |
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dc.contributor.author | 杨福锦 | en_US |
dc.contributor.author | Yang, Fu-Jin | en_US |
dc.contributor.author | 吴庆源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:41Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:41Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428025 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51747 | - |
dc.description.abstract | 本文建立了一个制程导向双极性电晶体解析模型,该模型可以用来预测电晶体的电气 特性及提供电路模型的参数。本中深入地探讨严重影响电流增益的射极高掺杂效应及 集极极高电流效应。其中,本文利用一个广义微分电流传输方程式分析高掺杂射极区 少数载子注入的问题,并利用两种不同的操作模式研究基极与集极接面在高电流时的 行为。 本文以双扩散的双极性电晶体为模拟的例子,计算直流增益对集极电流的关系、共射 极输出特性曲线及增益一频宽乘积对集极电流的关系,并与实验比较,结果十分吻合 。 由于本文所发展之模型为制程导向和解析性的模型,故用做自动设计时,可以节省大 量的计算时间及提供足够的讯息以作最佳的设计。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 制程导向 | zh_TW |
dc.subject | 双极性电晶体 | zh_TW |
dc.subject | 电晶体 | zh_TW |
dc.subject | 模拟模型 | zh_TW |
dc.subject | 电流 | zh_TW |
dc.subject | 集极电流 | zh_TW |
dc.subject | 射极高掺杂效应 | zh_TW |
dc.subject | 集极高电流效应 | zh_TW |
dc.subject | 电子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 制程导向双极性电晶体模拟模型 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 电子研究所 | zh_TW |
显示于类别: | Thesis |