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dc.contributor.author杨福锦en_US
dc.contributor.authorYang, Fu-Jinen_US
dc.contributor.author吴庆源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:41Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:41Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428025en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51747-
dc.description.abstract本文建立了一个制程导向双极性电晶体解析模型,该模型可以用来预测电晶体的电气
特性及提供电路模型的参数。本中深入地探讨严重影响电流增益的射极高掺杂效应及
集极极高电流效应。其中,本文利用一个广义微分电流传输方程式分析高掺杂射极区
少数载子注入的问题,并利用两种不同的操作模式研究基极与集极接面在高电流时的
行为。
本文以双扩散的双极性电晶体为模拟的例子,计算直流增益对集极电流的关系、共射
极输出特性曲线及增益一频宽乘积对集极电流的关系,并与实验比较,结果十分吻合

由于本文所发展之模型为制程导向和解析性的模型,故用做自动设计时,可以节省大
量的计算时间及提供足够的讯息以作最佳的设计。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject制程导向zh_TW
dc.subject双极性电晶体zh_TW
dc.subject电晶体zh_TW
dc.subject模拟模型zh_TW
dc.subject电流zh_TW
dc.subject集极电流zh_TW
dc.subject射极高掺杂效应zh_TW
dc.subject集极高电流效应zh_TW
dc.subject电子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title制程导向双极性电晶体模拟模型zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department电子研究所zh_TW
显示于类别:Thesis