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dc.contributor.author楊福錦en_US
dc.contributor.authorYang, Fu-Jinen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:41Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:41Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428025en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51747-
dc.description.abstract本文建立了一個製程導向雙極性電晶體解析模型,該模型可以用來預測電晶體的電氣 特性及提供電路模型的參數。本中深入地探討嚴重影響電流增益的射極高摻雜效應及 集極極高電流效應。其中,本文利用一個廣義微分電流傳輸方程式分析高摻雜射極區 少數載子注入的問題,並利用兩種不同的操作模式研究基極與集極接面在高電流時的 行為。 本文以雙擴散的雙極性電晶體為模擬的例子,計算直流增益對集極電流的關係、共射 極輸出特性曲線及增益一頻寬乘積對集極電流的關係,並與實驗比較,結果十分吻合 。 由於本文所發展之模型為製程導向和解析性的模型,故用做自動設計時,可以節省大 量的計算時間及提供足夠的訊息以作最佳的設計。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject製程導向zh_TW
dc.subject雙極性電晶體zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject模擬模型zh_TW
dc.subject電流zh_TW
dc.subject集極電流zh_TW
dc.subject射極高摻雜效應zh_TW
dc.subject集極高電流效應zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title製程導向雙極性電晶體模擬模型zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文