完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 楊福錦 | en_US |
dc.contributor.author | Yang, Fu-Jin | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:41Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:41Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428025 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51747 | - |
dc.description.abstract | 本文建立了一個製程導向雙極性電晶體解析模型,該模型可以用來預測電晶體的電氣 特性及提供電路模型的參數。本中深入地探討嚴重影響電流增益的射極高摻雜效應及 集極極高電流效應。其中,本文利用一個廣義微分電流傳輸方程式分析高摻雜射極區 少數載子注入的問題,並利用兩種不同的操作模式研究基極與集極接面在高電流時的 行為。 本文以雙擴散的雙極性電晶體為模擬的例子,計算直流增益對集極電流的關係、共射 極輸出特性曲線及增益一頻寬乘積對集極電流的關係,並與實驗比較,結果十分吻合 。 由於本文所發展之模型為製程導向和解析性的模型,故用做自動設計時,可以節省大 量的計算時間及提供足夠的訊息以作最佳的設計。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 製程導向 | zh_TW |
dc.subject | 雙極性電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 模擬模型 | zh_TW |
dc.subject | 電流 | zh_TW |
dc.subject | 集極電流 | zh_TW |
dc.subject | 射極高摻雜效應 | zh_TW |
dc.subject | 集極高電流效應 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 製程導向雙極性電晶體模擬模型 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |