超大型積體電路中埋層金氧半場效電晶體的臨界電壓及電流─電壓特性曲線─計測分析及新模型

Abstract

本文提出小幾何結構理層通道金氧半場效電晶體的臨界電壓及電流一電壓輸出特性之 新解析模式。在提出的模式中，我們使用了許多新的觀念。在臨界電壓模式中，源極 與吸極所產生的電荷共有效應及鳥嘴下空乏電荷的影響，均被考慮在內。由實驗測量 顯示出，對各種不同尺寸的元件，實驗與模式均可得到良好的一致性。 在電流一電壓輸出特性模式中，我們採用了不同的表面與埋層移動率公式，其中縱向 及橫向的二度空間效應均加以考慮。在此，我們亦證明所發展出的模式與實驗具有高 度的一致性。因此，我們所提出的模式，可以應用於元件設計及電路系統的分析上。