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dc.contributor.author張忠智en_US
dc.contributor.authorZhang, Zhong-Zhien_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWu, Zhong-Yuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:49Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:49Z-
dc.date.issued1983en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT724430007en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51843-
dc.description.abstract本論文之目的在於建立矽閘3.5 微米NDLT反相器之時序模式,該模式可用於特性波形 和自然指數輸入波形等狀況。在這些模式中,首先利用反相器的改良性大訊號等效電 路,拉住導出一組公式,用來計算討號的上昇、下降和延遲時間。其次,根據這些公 式與適當加入的通用經驗常數,建立一個時序分析程式,可用以自動計算反相器的訊 號時序。其所花的計算時間與記憶容量相當小,而計算結果和ESPICE模擬結果相比, 其誤差均在可容忍的程度內。由本論文之研究可知,上述之時序計算模式及方法能有 效地解出時序公式,以應用在N型金氧半場效電晶體大型積體電路和超大型積體電路 中訊號時序的分析與時序的自動設計。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject金氧半場效電晶體zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject反相器zh_TW
dc.subject等效電路zh_TW
dc.subject超大型積體電路zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectVLSIen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.titleN型金氧半場效電晶體反相器之時序模型zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文