超射電壓及底射電壓對互補式金氧半場效應電晶體中鎖住效應之影響

Abstract

本論文之目的在探討於互補式金氧半場效應電晶體反相器中由於內部之電容及基底電 阻所產生的超射電壓（voltbage overshoot）及底射電壓（voltage undershoot）對 於鎖住（latchup ）效應的影響，藉著模式之建立及實驗觀察，這些超射電壓及底射 電壓乃居於觸發鎖住效應中重要的一環。此外，根據微分負電阻特性之觀察，更能清 楚的了解鎖住效應之本質，進而建立了一套判斷是否會發生鎖住效應之準則。從而根 據這些準則，鎖住效應之條件即能由觸發電流、基底電阻、電晶體之電流增益及其他 的元件參數等明確的表示出來。經由實驗之證明，這些理論頗能正確的預測出鎖住效 應的發生。最後由本論文之研究得出一避免鎖住效應之圖形以為互補式金氧半場效應 電晶體線路設計者之設計準則。