完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 楊克訓 | en_US |
dc.contributor.author | YANG, KE-XUN | en_US |
dc.contributor.author | 邱碧秀 | en_US |
dc.contributor.author | GIU, BI-XIU | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:03:06Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:03:06Z | - |
dc.date.issued | 1984 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52053 | - |
dc.description.abstract | 這篇論文主要在探討以鈦酸鋇為材料的電容和正溫度係數熱阻器的電性效應;包括介 電係數,損耗因數,以及電阻率與溫度和頻率的關係函數。 在燒結過程所生的相變化可由X-射線繞射儀偵測出,其微觀結構是利用掃描式電子顯 微鏡觀測。 鈦酸鋇在還原氣體中燒結可得到 HEXAGONAL的暫穩態,並使在居里點的介電係數不規 則變化轉趨穩定。以壓模做成的片狀試樣介電係數可達10□-10□然另以厚膜型式做 成的試樣較低,約在10□左右,其損耗因數都在10% 以下;初步研究結果顯示正溫度 係數熱阻器的熱阻變化量可達10□。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 鈦酸鋇 | zh_TW |
dc.subject | 陶瓷 | zh_TW |
dc.subject | 電性效應 | zh_TW |
dc.subject | 燒結 | zh_TW |
dc.subject | 介電係數 | zh_TW |
dc.subject | 耗損因素 | zh_TW |
dc.title | 鈦酸鋇陶瓷的電性研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |