氧化銦錫薄膜之電解質電反射及電解質電穿透光譜

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李欣諭	en_US
dc.contributor.author	LI, XIN-YU	en_US
dc.contributor.author	郭義雄	en_US
dc.contributor.author	溫增明	en_US
dc.contributor.author	GUO, YI-XIONG	en_US
dc.contributor.author	WEN, ZEN-MING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:29Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:29Z	-
dc.date.issued	1985	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742123020	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52318	-
dc.description.abstract	以電解質電反射的方法研究氧化銦錫薄膜之特性，發現與其他半導體（例如矽、砷化鎵）不同的結果，在大約３．８eV有一個寬大的峰。另外並測試電言質電穿透光譜也在３．８eV附近發現一個峰，但另有兩個小的峰出現在上面，據猜測是由氧化銦錫中的雜質能帶所引起的分裂。同一氧化銦錫樣品的反射光譜在電解電反射光譜出現峰值的光波長有一個極小道。論文中並討論氧化銦錫薄膜樣品之介電常數改變量與光學特性的關係。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氧化銦錫	zh_TW
dc.subject	薄膜	zh_TW
dc.subject	電解質	zh_TW
dc.subject	電反射	zh_TW
dc.subject	電穿透	zh_TW
dc.subject	光譜	zh_TW
dc.title	氧化銦錫薄膜之電解質電反射及電解質電穿透光譜	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文