矽化鈦之製備及其相關特性之研究

Abstract

面臨即將來臨的金氧半電晶體超大型積體電路時代，吾人需要一種鍍導電材料的技術 與元件的速度匹配。耐高溫的金屬矽化物之應用，主要是其電阻係數與晶粒尺寸上的 改善。其中矽化鈦擁有最低的電阻係數。在本論文中，吾人以共蒸鍍的技術，設定矽 與鈦之原子數比為2.03時所得到的矽化鈦，其電阻係數比以同法所得的值低，約為17 …18微歐姆一公分。同時以14層的多層模結構（單晶矽基板吾人也發現將矽蓋在薄膜 的最外層），可以避免鈦與氧起作用而產生氧化鈦。最後吾人也研究了矽化鈦薄膜砷 離子植入後，其特性所受到之影響。