完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 莊瑞璋 | en_US |
dc.contributor.author | ZHUANG, RUI-ZHANG | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
dc.contributor.author | LEI, TIAN-FU | en_US |
dc.contributor.author | CHEN, MAO-JIE | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:03:40Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:03:40Z | - |
dc.date.issued | 1985 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430021 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52423 | - |
dc.description.abstract | 面臨即將來臨的金氧半電晶體超大型積體電路時代,吾人需要一種鍍導電材料的技術 與元件的速度匹配。耐高溫的金屬矽化物之應用,主要是其電阻係數與晶粒尺寸上的 改善。其中矽化鈦擁有最低的電阻係數。在本論文中,吾人以共蒸鍍的技術,設定矽 與鈦之原子數比為2.03時所得到的矽化鈦,其電阻係數比以同法所得的值低,約為17 …18微歐姆一公分。同時以14層的多層模結構(單晶矽基板吾人也發現將矽蓋在薄膜 的最外層),可以避免鈦與氧起作用而產生氧化鈦。最後吾人也研究了矽化鈦薄膜砷 離子植入後,其特性所受到之影響。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽化鈦 | zh_TW |
dc.subject | 金氧半場效電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 超大型積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 電阻 | zh_TW |
dc.subject | 電阻系數 | zh_TW |
dc.title | 矽化鈦之製備及其相關特性之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |