砷化鋁鎵雙異質接面Fabry-Perot標準具之研製

Abstract

砷化鎵╱砷化鋁鎵(GaAs/AlGaAs)半導體雷射為目前應用非常廣泛之一種半導體雷射，因此在訊號處理系統中，以GaAs/AlGaA半導體為材料之積體光學元件勢必成為未來積體光路(Integrated optical circuits)之主流。本文主要是以液相磊晶法製造AlGaAs雙異質接面Fabry-Perot etalon之光學元件，製造上的考慮是針對波長在0.83um左右約半導體雷射，採用平面波導型(Planar waveguide)之Fabry-Perot etalon，並且以Fabry-Perot etalon的傳輸特性來測最傳輸損耗(Propagation loss)，最低的衰減係數為2.8dB/cm。另外，外部回饋共振腔(External feedback resonator)對半導體雷射頻譜與功率的影響，以及使用Fabry-Perot etalon穩定半導體雷射之頻率，本文亦加以探討；由實驗得知，光回饋作用可提高雷射輸出功率，降低臨界電流，穩頻實驗使頻率的偏移量降低約20倍，在十五分鐘內，其頻率穩定度Av/v~7.9X10-7。