埋入式雙條狀結構之砷化鎵/ 砷化鋁半導體雷射之研究

Abstract

在本論文中，我們已成功地使用液相磊晶方法研製出一結構稱為埋入式雙條狀結構的 砷化錠一砷化鋁錠半導體雷射。這種結構具有良好的電流局限及光場的局限效應，可 以提高量子效率及具有單一縱模的光學特性，在此我們已製出在室溫下操作時的起振 電流降到１５０毫安培左右，量子效率更高達５０％左右，另外當我們加一電流高於 起振電流的１•４倍時，可發現這種雷射二極體具有單一縱模的光學特性。論文中我 們將詳細的討論這種結構的製程及其操作特性。