Ｐ□複晶矽閘互補金氧半元件製造與特性分析

Abstract

金氧互補半導體技術是未來超大型積體電路（VLSI）製作的主流，傳統上的Ｎ^+複晶 矽閘金氧互補半導體技術在次微米通道時，N 型半導體有嚴重的熱電子效應造成元件 特性退化及可靠性問題，另外電子遷移也顯著降低，而P 型半導體亦有短通道效應造 成元件提早崩潰及漏電流現象，採用Ｐ^+複晶矽閘金氧互補半導體技術可以克服既有 問題，但寄生的是N 型半導體會有短通道效應及P 型半導體的熱電洞效應。 此篇論文，說明採用Ｐ^+複晶矽閘金氧互補半導體，在N 型半導體方面由於砷的低擴 散係數，在製程上仍可以輕易得到有效通道為０•八微米的元件而P 型半導體由於電 洞高能障及低的平均自由徑關係，熱電洞效應在有效通道在０•六微米時仍然可以忽 略而不致造成可靠性問題，此研究並比較四種元件的特性分析，以便在未來超大型積 體電路技術選擇上有較好參考數據。