標題: | 氧化鋯質材之顯微結構對機械和電學性質之影響 |
作者: | 簡聖華 JIAN, SHENG-HUA 曾俊元 ZENG, JUN-YUAN 電子研究所 |
關鍵字: | 氧化鋯;顯微結構;電學性質;氧化鎂;助燒劑;晶粒;晶界 |
公開日期: | 1986 |
摘要: | 8•1莫耳百分比之氧化鎂穩定之氧化鋯,為一良好的氧離子導體,在此論文中測得 之氧離子傳導率為0•995。此外數種不同助燒劑對電性之影響,也曾探討過,其 中氧化鋁降低了晶粒與晶界的活化能,氧化矽提高了晶粒與晶界的活化能。 鑄漿成形或冷均壓成形都是製造氧分壓感測器的可行方法。 12莫耳百分比之氧化鎂穩定之氧化鋯在一千六百度固定溶體化之後在一千四百二十 度、一千三百度、一千一百五十度熱處理,其中以一千一百五十度四小時熱理可得到 最好的機械性質,最大的破裂韌性為7•4□MPam,最大的抗彎強度為300Mpa ; 熱處理時間太久,會使機械性質衰退。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430040 http://hdl.handle.net/11536/52941 |
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