超大型積體電路中短通道異型離子佈植場效電晶體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	翟駿逸	en_US
dc.contributor.author	ZHE, JUN-YI	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	WU, GING-YUAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:04:27Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:04:27Z	-
dc.date.issued	1986	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430048	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52950	-
dc.description.abstract	在這篇論文中，我們討論了異型離子佈植加強型電晶體的臨界電壓和臨界電壓以上的電流特性。由於此種電晶體目前廣泛應用於超大型積體電路互補式電晶體中的P 型電晶體。因此，我們選了一組不同通道長度的此型電晶體進行測試，並將所測得的值與模型的計算值來比較，證實我們所發展的臨界電壓與電流模型足以應用於電腦輔助的電路模擬。此外，我們也討論了另一種定義臨界電壓的方法。由此可得出一些不正常的短通道電晶體效應。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	超大型積體電路	zh_TW
dc.subject	短通道	zh_TW
dc.subject	異型離子	zh_TW
dc.subject	佈植電晶體	zh_TW
dc.subject	臨界電壓	zh_TW
dc.subject	電壓特性	zh_TW
dc.subject	互補式電晶體	zh_TW
dc.title	超大型積體電路中短通道異型離子佈植場效電晶體	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文