Polyformyloxystyrene光阻微影成像性質之研究

Abstract

兩性光阻因顯影過程中無負型阻之膨潤現象，解析度較高，在次微米積體電路中的重 要性正日益提高。本研究合成了鄰、間、對位（o 、m 、p ）三種polyformyloxyst- yrene （P-２FS，P-３FS，P-４FS）及對應的三種polyhydrox-ystyrene （P-２HS， P-３HS，P-４HS）。P-FS經曝生光成P-HS。曝光前後兩者極性不同，選擇當極性的溶 劑可使兩者表現甚大的溶解度差異，呈現兩性光阻的特性。 本研究選擇了P-３HS，P-３FS及兩者分別加入感光劑（azide ）的光阻（P-３HSAZ， P-３FSAZ）做為製程上性質探討的重點。不同比例的感光劑使光阻的感度（sensiti- vity），對比（contrast），抗蝕刻性亦有所不同，含感光劑較多者效果較好，但有 極限。P-３HSAZ具極性變化又具交聯變化，是雙功能光阻，製程的寬容度比P-３HSAZ 好。P-３FS曝光後產物P-３HS與P-３FS本身在deep UV 光區皆有強烈吸收，λmax 相 近，可得現場抗蝕刻光罩（in situetching mask ），利用這項特性，使得P-３FS在 金屬化脫除（lift-off）製程中具有類雙層光阻（quasi-bilayer ）的功能，使金屬 化的製程由常見的Ｌ□Ｅ□Ｐ□或Ｌ□Ｅ□Ｐ□簡化為Ｌ□Ｅ□Ｐ□。