二維砷化鎵金半場效電晶體特性模擬

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	方中信	en_US
dc.contributor.author	FANG, ZHONG-XIN	en_US
dc.contributor.author	蘇翔	en_US
dc.contributor.author	莊晴光	en_US
dc.contributor.author	SU, XIANG	en_US
dc.contributor.author	ZHUANG, GING-GUANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:02Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:02Z	-
dc.date.issued	1987	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430012	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53395	-
dc.description.abstract	本論文利用一組偏微分方程式來模擬電場和電子濃度在砷化鎵金半場效電晶體（GaA- s MESFET）中的表現，並以有限元素分析法來求得偏微分方程式的數值解。所發展出來的程能求得元件穩定態及暫態的特性。以一微米閘極長度的元件為例，模擬所得的結果，如電流一電壓特性曲線和小訊號參數等，約和由真實的元件所量的結果相近。本程式能模擬任何形狀的元件，如在微波方面廣泛地被採用的凹形閘極結構的元件。另外，本論文也分析了金半場效電晶體做為開關元件時的暫態特性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	砷化鎵金	zh_TW
dc.subject	半場效電晶體	zh_TW
dc.subject	偏微分方程式	zh_TW
dc.subject	電場	zh_TW
dc.subject	電子濃度	zh_TW
dc.subject	有限元素分析法	zh_TW
dc.title	二維砷化鎵金半場效電晶體特性模擬	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文