標題: 氧化態與硫化態鈷鉬系加氫脫硫觸媒性質之研究
作者: 游清泉
YOU, GING-GUAN
龍文安
LONG, WEN-AN
應用化學系碩博士班
關鍵字: 觸媒;鈷鉬系加氫脫硫;CATALYST;COMO/AL□O□
公開日期: 1987
摘要: 本文以反射式紫外分光儀,吸附儀,氣相層析儀,電子順磁共振及程序升溫還原器等 儀器來探討氧化態與硫化態CoMo╱Al□O□ 觸媒之結構,以及CoMo╱Al□O□ 觸媒對 Thiophene之加氫貺硫活性。觸媒是利用鈷鉬同時含浸法製得。 Co(Ⅹ)Mo(8.1)╱Al□O□(x =1.7、1.9、6.1、9.5wt%) 觸 媒於反射式紫外光譜中,有CoAl□O□ 與CoMoO□ 之吸收峰,其吸收強度隨Co含量增 加而增加。但Co含量為6.1wt%,9.5wt%之CoMo╱Al□O□ 觸媒會形成Co□O□ ,使得CoAl□O□ 之吸收峰變得不明顯。CoMo╱Al□O□ 觸媒中,CoMoO□ 之含量隨 Co含量(在1.7∼9.5wt%範圍)增加而增加,可被氧水萃取,因此氨水對Mo與 Co之萃取量會隨Co含量增而增。且在程序升溫還原(TPR )譜圖中CoMoO□ 於520 ℃之耗氫波峰亦隨Co含量增加而變大。以吸附儀測此觸媒於500℃還原耗氫量亦隨 Co含量增加而增加,且低溫氧氣化學吸附量亦隨著增加。 本文以電子順磁共振發現,當oxo-Mo(Ⅴ)(g =1.930)顯著減少時,加氫脫 硫活性始顯著增加。活性是以H□+Thiophene 通過固定床,以氣相層析儀測得Thiop- hene轉化率而得。活性較高之硫化態觸媒其thio-Mo (Ⅴ)(g =1.998)訊號 較高,oxo-Mo(Ⅴ)訊號較低。預硫化使用之硫化物會影響活性,研究發現Dimethyl sulfide >Thiophene >Carbon disulfide。另外觸媒先經H 還原再以Thiophene 預 硫化者,活性較以Thiophene 直接預硫化者高。 觸媒預硫化後,在充氮氣反射式紫外光譜中有220nm吸收峰,且隨活性增加而升高 吸收度。但暴露於空氣中,此吸收峰會消失。 根據本文對硫化態CoMo╱Al□O□ 觸媒的研究,似乎硫化態電子順磁共振的thio-Mo (Ⅴ)(g =1.998)與紫外光的220nm吸收強度,可做為加氫脫硫活性的相 關依據。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762500009
http://hdl.handle.net/11536/53519
顯示於類別:畢業論文