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dc.contributor.author陳明先en_US
dc.contributor.authorCHEN, MING-XIANen_US
dc.contributor.author楊聲震en_US
dc.contributor.authorYANG, SHENG-ZHENen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:21Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:21Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53651-
dc.description.abstract本文主要係對N 型材料的過剩載子生命期與ambipolar mobility作研究。使用N 型材 料製成的紅外線光導偵檢器在不同反應波長的He-Ne 雷射(3.39,0.6328 )照射下,及在不同的工作溫度(50°K∼200°K)與背景強度之下測量N 型 材料的過剩載子生命期。同時利用在高電場的作用下光導偵檢器會發生SWEEP-OUT 效 應,藉此效應的發生可找出在不同背景強度之下N 型材料的ambipolar mobility。 在本文中同時也介紹一種由N 型材料製成的紅外線光導偵檢器-SPRITE,並且簡單地 建立SPRITE偵檢器的光點掃描工作模式;在時間域及頻率域上作訊號的定性分析。利 用此光點掃描工作模式也可估計出N 型材料的ambipolar mobility。 我們使用了波長0.6328及3.39He-Ne雷射測量N 型材料的過剩載子生命期 τ,同時也在不同的工作溫度及不同的背景強度之下測量N 型材料的τ。由實驗結果 知 N型材料的生命期主要仍是受Auger 結合機構的影響。而在不同的背景強度之下, N 型材料的生命期亦會改變。當視野角越小,背景強度越弱時,生命期越長。此結果 與理論計算值及Mullard Co. 的結果相當一致。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject生命期zh_TW
dc.subject紅外線光導偵檢器zh_TW
dc.subject訊號分析zh_TW
dc.subject效應zh_TW
dc.subject定性分析zh_TW
dc.subject光點掃描zh_TW
dc.subjectN-HG0-8CD0-8TEen_US
dc.subjectAMBIPOLSR-MOBILITYen_US
dc.subjectSPRITEen_US
dc.subjectSWEEP-OUTen_US
dc.titleN型GH0.8CD0.2TE材料生命期與AMBIPOLAR─MOBILITY的測量及SPRITE偵檢器的訊號分析zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文