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dc.contributor.author楊弘宇en_US
dc.contributor.authorYANG, HONG-YUen_US
dc.contributor.author趙如蘋en_US
dc.contributor.authorZHAO, RU-PINen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:21Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:21Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123012en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53662-
dc.description.abstract本文探討一具有自由表面之線狀液晶薄膜中,受雷射脈衝誘發之分子重排之動態反應 ,並與玻片夾層薄膜之情形作比較。實驗中分別就玻片夾層及具自由表面樣品比較由 磁場微小改變或雷射脈衝所測得之時間響應常數。從實驗結果得知,無論是玻片夾層 或具自由表面樣品,由雷射脈衝引起之時間常數比磁場改變之時間常數快了一至五秒 。其差異乃由於雷射光之Beam Size 效應所致,此種觀點可實驗數值與理論分析之相 當接近獲得證實。 在液晶基本特性與應用之研究領域中,表面效應一直是一項重要之考慮因素。就線狀 液晶(Nematic Liquid Crystal,簡稱NLC )而言,例如4'-n-pentyl-4 cyanobiphe -nyl(5CB) ,對自由表面(指液晶與空氣之介面)與束縛介面(實驗中乃是指鍍上 DMOAP 之玻璃與液晶之介面)二種條件下之動態性質加以研究比較,將有助於深入了 解線狀液晶之連體理論(Continuum Theory)及各種特性常數。 本實驗乃是觀察經波長1.06徵米之雷射脈衝激發後之5CB 樣品(HB或FS)所產生 之分子重排列現象,此現象可藉一束連續式氦He-Ne 雷射通過樣品時,因液晶折射係 數改變所引致之訊號強度變化而得知。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject線狀液晶zh_TW
dc.subject雷射脈衝zh_TW
dc.subject分子重排zh_TW
dc.subject雷射zh_TW
dc.subject自由表面zh_TW
dc.subject束縛表面zh_TW
dc.subject時間響應常數zh_TW
dc.subject連體理論zh_TW
dc.subjectCONTINUUM-THEORYen_US
dc.title自由表面線狀液晶中雷射脈衝誘發之分子重排列zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文