具自由表面液晶SCB與8CB薄膜受外加磁埸作用之時間響應及BACKFLOW效應

Abstract

自從１８８８年奧地利植物學者Friedrich Reinitzer 發現液晶以來約一百年，但是 比起其它科學，液晶科學還是一門少為人們所熟悉的學問。而１９６８年液晶的電光 現象被發現以後，再加上積體電路應用技術的普遍化，使液晶顯示器快速的進入電子 產品市場和很少技術應用的領域，更使得液晶的研究，帶入另一高峰。 在液晶的領域當中，表面的效應，不論是物理現象上的了解或是設計上的應用，均有 其重要性。而在１９８７年Ru-Pin Pan，H.Hsiung及Y.R.Shen等在Physical Reveiw A 發表的論文上，就已經得到具自由表面線狀液晶（簡稱F.S.）5CB （4-n-pentyl-4 '-cyanobiphenyl ）受光場（argon-ion laser ）作用，其光場的臨界強度，以及鬆 弛時間，然而液晶受光場作用並不均勻，須考慮到beam size 影響。 垂直玻面排列（homeotropically ）之具自由表面（F.S.）線狀液晶受外加磁場變化 影響，會使分子重新排列，其間牽涉時間響應及Freedericksz Transition 效應，本 文主要以理論及實驗來探討具自由表面（F.S.）液晶與兩玻片夾層（H.B.）液晶其受 外加磁場改變之時間響應和臨界磁場，並比較5CB 與8CB 兩種液晶材料的差異，實驗 證得具自由表面液晶受Backflow effect 影響，其鬆弛時間較兩玻片夾層液晶之時間 常數小，另外，本實驗亦證得同厚度8CB 之臨界磁場及時間常數均較5CB 為大。