砷化鎵內EL2之近紅外吸收及電光探測

Abstract

本文中我們使用了兩種光學方法探測半絕緣砷化錠內部EL2 之濃度及其分佈。利用１ ．３之半導體雷射操作在發光二極體模式下為光源之近紅外吸收方法我們測出了光學 厚度０．０１５晶片內沿＜０１１＞方式中央部分EL2 之〞W 〞形分佈，其分佈之平 均濃度為，而在偏離中央部分呈現〞U 〞形分佈，其平均EL2 濃度為此和Blakemoree -t al ．所校準之結果相符。此外，我們也測光學厚度晶片內沿著＜０１１＞方向EL 2 之分佈，在中央處亦顯示EL2 之〞W〞 形分佈，而在偏離中央處呈現〞U〞 形分佈 ，全部平均濃度。這些結果顯示用發光二極體光源可以測量薄晶片中EL2 的分佈及濃 度。由於發光二極體聚焦較傳統光源為佳這表示此一系統有很好的空間解析度。另外 我們也測試了EL2 經不同製程後所造成之影響，結果顯示EL2 經熱退火０．５小時及 １．５小時後其濃度增加，由Hall measurement之量測我們認為可能是退火使得半絕 緣砷化錠表面成為P 型而造成吸收的增加；而經過不同時間電漿蝕刻後發現EL2 濃度 有增加亦有減少之情形，此情形有待進一步驗証。在電光探測方面，我們用半導體雷 射作為探測光源架設一套電光探測系統，並利用氦氖雷射為激發光源探測EL2 ，初步 結果顯示激發EL2 所產生的載子對電光訊號之影響，所以我們相信利用電光探測方法 可用以研究EL2 ，相關研究正持續進行中。