一種新的雙層結構應用於鉑及鈀矽化物以形成蕭基能障之研究

Abstract

本論文提出一個新的技術：利用雙層結構－－－－－非晶矽╱鉑（或鈀）－－－－－ 以形成金屬矽化物。實驗發現：在退火過程中，金屬上所鍍之薄薄的一層非晶矽可以 有效地阻礙金屬與爐管內的氧氣發生反應，進而形成良好的金屬矽化物，同時保持原 有的自動校正特性（self-aligned property ）。本文亦探討了利用單一金屬層及前 述之雙層結構所製作而成之蕭基二極體（Schottky barrier diodes ）的Ｉ－Ｖ特性 。實驗發現：在n-type基板下，後者所形成之能障高於前者形成的能障；而在p-type 基板上，則恰相反。此外，我們亦利用低能量的離子佈植達成降低蕭基能障的目的。