完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author鄭佩如en_US
dc.contributor.authorZHENG, PEI-RUen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWU, GING-YUANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:23Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:23Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123033en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53686-
dc.description.abstract本論文提出一個新的技術:利用雙層結構-----非晶矽╱鉑(或鈀)----- 以形成金屬矽化物。實驗發現:在退火過程中,金屬上所鍍之薄薄的一層非晶矽可以 有效地阻礙金屬與爐管內的氧氣發生反應,進而形成良好的金屬矽化物,同時保持原 有的自動校正特性(self-aligned property )。本文亦探討了利用單一金屬層及前 述之雙層結構所製作而成之蕭基二極體(Schottky barrier diodes )的I-V特性 。實驗發現:在n-type基板下,後者所形成之能障高於前者形成的能障;而在p-type 基板上,則恰相反。此外,我們亦利用低能量的離子佈植達成降低蕭基能障的目的。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject雙層結構zh_TW
dc.subject蕭基能障zh_TW
dc.subject金屬矽化物zh_TW
dc.subject自動校正特性zh_TW
dc.subject蕭基二極體zh_TW
dc.subject離子佈植zh_TW
dc.subjectSCHOTEKYen_US
dc.subjectSELF-ALIGRED-PROPERTYen_US
dc.subjectSCHOTTKY-BARRIER-DIODESen_US
dc.title一種新的雙層結構應用於鉑及鈀矽化物以形成蕭基能障之研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文