低能障矽化鈀/P型矽屑特基二極體的研製

Abstract

本論文首先探討矽化鈀（Pd□Si）形成過程中退火溫度對此矽化物薄膜物理特性的影 響，以及鈀（Pd）和Ｐ型矽晶片製成之肖特基二極體的元件特性和退火溫度的關係。 從實驗中吾人發現３６０至５７０℃是最適當的製程溫度範圍。在此溫度範圍內，吾 人可獲得較低的片電袓以及約０．３５ｅＶ的低能障肖特基二極體。低劑量的離子植 入法可用以降低矽化鈀肖特基二極體的能障高度。似２５ＫｅＶ的硼（B □）離子植 入，在劑量為１＊１０□□ｃｍ□□時，可將能障高度降低到０．２５ｅＶ。本論文 最後利用這種矽化鈀肖特基二極體低能障的特性研製一截止波長約為３．５毫米的紅 外偵測器，並且探討截止波長（cutoff wavelength ）和照光響應（photo response ）及其與外加偏壓的關係。