氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井奈米柱光學特性之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	歐陽妙佳	en_US
dc.contributor.author	Miao-Chia Ou Yang	en_US
dc.contributor.author	王興宗	en_US
dc.contributor.author	S. C. Wang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:05:41Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:05:41Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009124505	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/53857	-
dc.description.abstract	在本論文中，我們利用光激發螢光(PL)、螢光激發光(PLE)、顯微光激螢光(μ-PL)等光譜技術，來分析含有氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子井(Multiple-Quantum Well, MQW)結構奈米柱(nanorods)的光學特性。由光譜量測可以得知，奈米柱相對於一般塊材(bulk)，會有114 meV的藍移(blue shift)，這是由於蝕刻成奈米柱後，材料內部會有部分的應力被釋放，導致減少了約0.45MV/cm的壓電場，使原本受壓電影響而傾斜的能帶變的平緩些，進而使躍遷的能量產生藍移的現象。此外，我們更發現奈米柱能夠有效的提升17倍的發光強度，這是由於蝕刻成奈米柱後，增加了能夠出光面積與活性層體積的比例，提高光的抽出效率;以及壓電被減小後，增加了電子與電洞再結合的機率，使光強度變強。此外，藉由化學性濕蝕刻的表面處理方式，改善了奈米柱中由乾蝕刻所帶來的傷害，降低輻射性再結合的速度，使發光強度再增加18%。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井	zh_TW
dc.subject	奈米柱	zh_TW
dc.subject	顯微光激螢光	zh_TW
dc.subject	光激螢光	zh_TW
dc.subject	螢光激發光	zh_TW
dc.subject	InGaN/GaN MQW	en_US
dc.subject	nanorod	en_US
dc.subject	micro-PL	en_US
dc.subject	PL	en_US
dc.subject	PLE	en_US
dc.title	氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井奈米柱光學特性之研究	zh_TW
dc.title	Optical Properties of InGaN/GaN Multiple-Quantum Well Nanorods	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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