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dc.contributor.author黃建榮en_US
dc.contributor.authorHUANG, JIAN-RONGen_US
dc.contributor.author李明知en_US
dc.contributor.authorLI, MING-ZHIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:42Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:42Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53866-
dc.description.abstract拉曼微測技術可探討雷射與物質作用中及作用後局部的相變現象。非晶矽膜的雷射退 火與高溫超導(1237)氧化物的雷射加熱皆經詳細檢驗。在雷射退火前,非晶矽 膜的拉曼譜線為一寬帶。經雷射作用後,除反射率改變外,譜線也變得尖銳而類似單 晶矽。但脈衝電射的作用,則產生環狀圖形。由於拉曼強度與反射率下凹性的存在, 顯示結晶與非晶化間的競逐。在皮秒雷射以適當能量密度連續兩次照射後,拉曼強度 的降低可證實己結晶矽膜的非晶化。再者,由於穿透率的增加,顯示非晶矽可做為可 拭性光學記錄的材料。這些現象可歸因於爆炸式結晶與雷射淬火。若考慮反射率的差 別,337nm與580nm波長有相同的退火臨界能量。由位置解析拉曼光譜與反 射率可知拉曼強度與光學性質的互補相關性。退火區域的應變可藉與單晶矽拉曼頻率 的差值加以分析。此外結晶區域拉曼強度有0•5至超過4倍的增強現象可由退火後 微結構的雙共振效應加以解釋。利用雷射偵測及加熱,除341,435和556㎝ -1弱譜線外,鏑鋇銅氧的三條主要拉曼譜線落在501,597,608㎝-1,而釔 鋇銅氧則在502,599,609㎝-1。在此,首次可重複觀察到這兩種樣品的拉 曼光譜在600㎝-1附近有分裂的現象。此分裂並非來自Y2BaCuO5雜相,而是 由於結構中同平面銅氧振動的非簡併B2g 和B3g 模態。它提供了分辨鈄方晶相與 正方晶相的方法。若增加探測功率,模態分裂漸漸變得不可解析而結合成Eg模。然 而,501(或502)㎝-1譜線則不甚變動。經高功率雷射加熱後,新出現的63 5㎝-1與588㎝-1譜線顯示BaCuO2 的形成。但對Y2BaCuO5樣品而言, 則凝結為Y2O3。由拉曼史托克與反史托克比值可推測樣品相變溫度約在150-2 00℃之間,利用譜線位置與線寬亦驗證得到相同結果。至於己遭水破壞的釔鋇銅氧 樣品,則呈現很強的464㎝-1與較弱的500㎝-1譜線。所以,雷射加熱效應的結 果在確認拉曼信號與樣品製程的雜質相有極重要的意義。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject高溫超導體zh_TW
dc.subject拉曼散射zh_TW
dc.subject電子zh_TW
dc.subject雷射zh_TW
dc.subject非晶矽膜zh_TW
dc.subject拉曼zh_TW
dc.subjectELECTRONICen_US
dc.title非晶矽薄膜與高溫超導體相變之拉曼散射研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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