標題: | 二維高濃度砷化鎵金半場效電晶體模擬 |
作者: | 林國良 LIN, GUO-LIANG 張國明 張俊彥 ZHANG, GUO-MING ZHANG, JUN-YAN 電子研究所 |
關鍵字: | 高濃度砷化鎵;砷化鎵;電晶體;半導體;TRANSISTOR;SEMI-CONDUCTOR |
公開日期: | 1988 |
摘要: | 二維半導體模擬程式是目前半導體元件設計的必須工具。一套新的廣泛的考慮到高濃 度效應的砷化鎵金半場效電晶體的模擬程式已經發展完成。高濃度的砷化鎵金半場效 電晶體濃度增高時,傳統的砷化鎵半場效能電晶體的模擬程式已面臨準確度的問題。 一個完全相合的(Selfconsistent)描述電子在高濃度的半導體元件 的行為模型被使用,這個模型使得考慮到高濃度效應時,能便利地處理波以森(Po isson),連續性(Continuity),及隱態(steady-sta te)方程式。而有效能帶萎縮效應(effective band-gap n arrowing effect)包含真能帶萎縮效應與費米統計(Fermi- Dirac statistics)效應。高濃度效應以二個能態參數表示,有效 能帶萎縮與有效不對稱係數(effective asymetry facto r)。而另一參數,活性係數(activity coefficient)用來 代表與傳統的模擬方法比較的非理想性(nonideality)。 考慮高濃度效應的二維半導體模擬程式的結果顯示,與傳統的模擬方法比較,此效應 對深入電位(built in potential),臨界電壓(thresh old voltagel)有增加的效果。對電流、偏導(trans con ductance)及電流截止增益頻率(current gain cut-o ff frequency),電容有負偏移效果。此套新的且廣泛的二維模擬程式 可以在砷化鎵與矽的金半場效電晶體超大型積體電路使用。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430017 http://hdl.handle.net/11536/53881 |
顯示於類別: | 畢業論文 |