Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 郭俊男 | en_US |
dc.contributor.author | GUO, JUN-NAN | en_US |
dc.contributor.author | 邱碧秀 | en_US |
dc.contributor.author | QIU, BI-XIU | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:05:44Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:05:44Z | - |
dc.date.issued | 1988 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430023 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/53887 | - |
dc.description.abstract | 由於PLZT陶瓷體所具有的高度透光性,使得PLZT陶瓷體成為一種很有用的光 電材料,而且由於它具有相當高的介電係數,使得PLZT陶瓷體在電容的應用上也 相當受到矚目。但是傳統的氧化物混合法所製造出來的PLZT陶瓷體,在成份上及 結構上的均勻度不好,影響了PLZT陶瓷體在光學及電性應用上的性質。於是,各 種化學濕式合成方法,例如利用alkoxides的水解,以及硝酸鹽水溶液的共 沈法等,均被廣泛地研究來改進氧化物混合法的缺點。使用化學濕式合成法所合成的 PLZT陶瓷體具有比較高的純度以及均勻度。 本實驗中,利用溶液膠結法以及水溶液乾噴法等兩種化學濕式合成方法來製造PLZ T陶瓷粉末,並將其燒結後,測量及觀察它在電性以及光學上的性質。化學濕式法所 合成9/65/35成份的PLZT陶瓷粉末在富含氧化鉛(Pbo)的環境下,以 1250℃的溫度燒結,並使用兩階段的繞結方法(two-stage sint ering)加以燒結。利化學濕式合成法所製造出來的PLZT陶瓷粉末,其顆粒 大小在0•1微米(μm)至0•2微米之間,大約只有傳統氧化物混合法所得粉末 的四分之一左右。 化學濕式合成的PLZT陶瓷體,在電性方面,常溫下即具有相當高的介電係數(超 過3000)以及合理的低介電損耗(大約4%左右),比氧化物混合法所得的結果 (介電係數2500,介電損耗6%)要來得好。而光學性質方面。厚度為1毫米( 1mm)的PLZT陶瓷體在波長為8000埃(8000A)的光線下,對光線具 有24%的透光率。而此化學濕式合成之PLZT陶瓷體對光線穿透的截止波長約為 4000埃,比氧化物混合法所得的截止波長5000埃要來得短,這是因為化學濕 式合成法所得的PLZT陶瓷體雜質較少,純度較高的緣故。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 化學濕式合成 | zh_TW |
dc.subject | 合成 | zh_TW |
dc.subject | 陶瓷 | zh_TW |
dc.subject | 結構 | zh_TW |
dc.subject | 電氣 | zh_TW |
dc.subject | 光電材料 | zh_TW |
dc.subject | 材料 | zh_TW |
dc.subject | 繞結方法 | zh_TW |
dc.subject | SYNTHESIS | en_US |
dc.subject | CERAMICS | en_US |
dc.subject | STRUCTURE | en_US |
dc.subject | ELECTRIC | en_US |
dc.subject | MATERIAL | en_US |
dc.subject | TWO-STAGE-SINTERING | en_US |
dc.title | 化學濕式合成PLZT陶瓷體之微細結構及電氣表徵 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |