矽化鎢在砷化鋁鎵蕭特基接觸之研究

Abstract

在自動對準的調變摻雜電晶體（MODFET）製程中，需要蕭特基接觸對砷化鋁鎵的熱穩 定性。本論文，研究矽化鎢對砷化鋁鎵蕭特基接觸的熱穩定性。使用的分析方包括拉 塞福背向散射（RBS）， X 射線射儀（XRD）， 四點探針量測，電流--電壓（I-V） 和電容--電壓（C-V） 測量等方法。 砷化鋁鎵採用液態磊晶的方法生長於砷化鎵基片上。我們研究矽化鎢對不同砷化鋁含 量的關係，也對矽化鎢在砷化鋁莫耳分率為０．３的砷化鋁鎵在不同熱處理溫度的穩 定性加以探討。 我們發現在砷化鋁含量大的砷化鋁鎵和矽化鎢的接觸結構在高溫時顯得不穩定。矽化 鎢在砷化鋁鎵上的能障高度從砷化鋁莫耳分率為零開始增加到莫耳分率為０．４後， 開始下降到莫耳分率為０．７為止。經過比較後，W５Si３ 和砷化鋁鎵的接面比 WSi２ 和砷化鋁鎵的接面穩定。比較數種熱處理方法後，我們發現樣品上氮化矽的品 質非常重要，樣品上覆蓋有電子鎗蒸鍍的氮化矽者，經由８００℃高溫處理後，W５ Si３的能障高度為０．８８２電子伏特，理想因素為１．４２３經由快速熱處理後， 仍然保持非常良好的電特性，在９００℃熱處理後，經由測量所得到的能障高度為 ０．９３５電子伏特，理想因素為１．１７。