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dc.contributor.author高啟章en_US
dc.contributor.authorGAO, QI-ZHANGen_US
dc.contributor.author鄭恩澤en_US
dc.contributor.authorZHENG, EN-ZEen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:52Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:52Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430052en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53920-
dc.description.abstract用CMOS製程所製造出的參考電壓源,往往因為製程上的變異因素,使得它的性能和精 確度根本無法和用BIPOLAR 所製造的相提並論。 在此論文中,詳細的討論了製程參數的變化對CMOS參考電壓源性能的影響,並針對最 關鍵的部份,討論其根本的產生原因,比較數種解決的方法,來減輕製程參數變化產 生的不良影響,並且利用高次項補償的原理,設計一完整的高次項補償參考電壓源電 路。由SPICE 模擬的結果,驗證了影響這電路性能的幾個重要因素,利用這樣的步驟 ,將有助於在設計的階段,即可預知電路最終性能的大概情況,如果製程參數變化的 幅度能事先預知的話。 作者在本論文中,提出一簡單的方法,來計算製程參數變化的影響。由這一方法所引 用的干擾電壓的觀念,可具體而微的對電路性能有定性及定量上的了解。此方法導出 了從元件的層次如何來決定最終性能的關係式。從此關係式便可很容易的知道影響 CMOS參考電壓源的關鍵因素。由製程上的統計結果,便可以有效地評估製程的可行性 ,或是針對性能的要求,選擇最適合的生產製程。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject補償zh_TW
dc.subject參考電壓源zh_TW
dc.subject電壓zh_TW
dc.subject參數zh_TW
dc.title高次項補償參考電壓源zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文