标题: 利用快速热氧化多孔矽的方法制作奈米矽晶体并探讨储存电荷的效应
Charging effects in Silicon nanocrystals fabricated by rapid thermal oxidized porous Silicon
作者: 范姜士权
张振雄
光电工程学系
关键字: 多孔矽;奈米矽晶体;记忆元件;电容-电压;电流-电压;porous silicon;silicon nanocrystals;memory device;C-V;I-V
公开日期: 2003
摘要: 我们成功的利用快速热氧化多孔矽(RTO-PS)的方法制作出奈米矽晶体(Silicon nanocrystals , nc-Si),应用在金氧半结构的记忆体中。我们利用高解析度穿透式电子显微镜 (HRTEM)、拉曼散射光谱 (Raman),来观察奈米矽晶体的存在,且利用电容-电压 (C-V)及电流-电压 (I-V)量测系统,探讨快速热氧化多孔矽的记忆效应。
本文中,我们探讨以p型与p+型多孔矽基板制作MOS的记忆效应。我们也讨论利用不同退火的气氛制作氧化层薄膜时,或改变电压扫描范围、或电压延迟时间(delay time)、或电压维持时间(hold time)时,奈米矽晶体内之电荷储存与释放都随之改变。此外,C-V量测的顺时针的电滞曲线,也说明电荷储存的效果。从这些结果得知快速热氧化多孔矽制作的奈米矽晶体于MOS中在不同操作电压下都是显示有电荷储存与释放的效果,将此新的技术可应用在未来记忆元件的开发。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009124517
http://hdl.handle.net/11536/53990
显示于类别:Thesis