Poly(triallylphenylsilane)+Bisazide與Hexamethoxymethylmelamine+Poly (p-hydroxystyrene) 二種負型阻劑系統性質研究

Abstract

本研究分二部分，第一部分是Poly（triallylphenylsilane）＋深紫外光交聯劑；４ ，４′-Diazido- ３，３′-dichloro-diphenylmethane 經汞燈（２５４nm）曝光後 產生交聯形的單層負型圖案，較一般紫外光所得負型圖案解像度佳。此光阻系統含矽 ，具耐氧電漿性質，可將不耐氧電漿蝕刻的商用正型阻劑S-１７１３淮佈於矽晶片上 作為下層（平坦層），上光阻系統作為上層（影像層）。以溼式顯影方法顯影出上層 影像層圖案作為現場（in-situ ）蝕刻光罩，對下層進行乾式氧電漿蝕刻，解像度較 單層光阻系統為佳。 第二部份是利用光酸（Triphenylsulfonium Hexafluoroarsenate ）在深紫外光（２ ５４nm）的曝光下產生質，可催化具齊個官能基的Hexamethoxymethylmwlamine （H- MM）與Poly（P-hydroxystrene ）產生交聯反應，交聯溫度由１３０℃降至８０℃， 利用交聯反應溫度的差異性及光酸的高敏感性可製成解像度佳的負型光阻圖。另由實 驗推導出HMM 與Poly（p-hydroxystyrene）的交聯為親電性苯環氫取代反應。 傳統的曝光系統，輻射波長由３５０至４５０ nm，一般以汞燈當輻射光源，發射譜 線以G 線（４３６nm）、H 線（４０５nm）及I 線（３６５nm）為主，光阻劑的設計 ，儘可能地配合上述三條發射譜線，使其在上述波長範圍內有強的吸收頻帶，以進行 對準曝光的化學反應。目前有些學者專家，為得更佳的解像度，似達次微米的境界， 利用非傳統光學曝光系統的技術，已漸成未來發展的僅適合製作原型光罩之用。生產 線上通常使用紫外光曝光。本研究採用探紫外線（Deep UV ）為輻射光源，其輻射波 長由１８０至３５０nm。