氮化鎵發光二極體之氧化製程研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	陳威佑	en_US
dc.contributor.author	王興宗	en_US
dc.contributor.author	Shing-Chung Wang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:06:28Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:06:28Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009124547	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/54323	-
dc.description.abstract	本論文主要研究主題為探討光致氧化在氮化鎵及氮化鋁上之氧化情形及光致氧化在氮化鎵發光二極體發光強度引響。在氮化鎵上之氧化探討中，我們發現氧化速率會隨著施加偏壓而上升 , 而氧化膜厚度和氧化時間成線性關係:而在紫外光強度上, 我們發現在高紫外光強度下氧化速率會成飽和現象;另外我們也發現氧化膜和氮化鎵形成的介面會隨著氧化時間而變為較為不平整。而我們在氮化鎵和氮化鋁上的異質結構中也觀察到氮化鎵和氮化鋁具有高氧化選擇比。而在光致氧化在氮化鎵發光二極體發光強度引響之探討中，我們使用光致氧化方法來進行LED 發光區域的表面粗化處理，並討論在LED元件之製作流程及光致氧化對於元件特性之引響，而對於完成後之LED元件經過I-V 和 L- I 量測以後, 經過光致氧化在偏壓15V下經過30分鐘和45分鐘氧化處理過之LED元件在20 mA的超作電流下其發光強度分別增加16%和 36 %	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化鎵	zh_TW
dc.subject	發光二極體	zh_TW
dc.subject	氧化	zh_TW
dc.subject	GaN	en_US
dc.subject	Light emitting diode	en_US
dc.subject	oxidation	en_US
dc.title	氮化鎵發光二極體之氧化製程研究	zh_TW
dc.title	Study of Oxidation Process of GaN Light Emitting Diode	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
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